Formalismes físics per a la microscòpia d'efecte túnel. Aplicació d'un STM atmosfèric en microelectrònica: Caracterització de Si i d'estructures MOS

Tesis doctoral

Fecha de lectura10 abr 1992
Idioma originalIndefinido/desconocido
SupervisorXavier Aymerich Humet (Director/a)

Citar esto

'