Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM

Tesis doctoral

Fecha de lectura4 abr 2003
Idioma originalIndefinido/desconocido
SupervisorXavier Aymerich Humet (Director/a) & Montserrat Nafria Maqueda (Director/a)

Citar esto

'