CAFM nanoscale electrical properties and reliablity of HfO2 based gate dielectrics in electron devices: Impact of the polycrystallization and resistive switching(Mención Europea)

Departamento de Ingeniería Electrónica

Tesis doctoral

Fecha de lectura	30 nov 2012
Idioma original	Indefinido/desconocido
Supervisor	Marc Porti Pujal (Director/a)

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Compact

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http://ddd.uab.cat/record/106905

http://hdl.handle.net/10803/107890

https://www.educacion.gob.es/teseo/mostrarRef.do?ref=1001223

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