Ultra Thin Films of Atomic Force Microscopy Grown SiO2 as Gate Oxide on MOS Structures: Conduction and Breakdown Behavior

X. Blasco, M. Nafría, X. Aymerich

    Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigación

    10 Citas (Scopus)
    Idioma originalInglés
    Páginas (desde-hasta)732-736
    PublicaciónSurface Science
    Volumen532
    N.º535
    EstadoPublicada - 1 ene 2003

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