Toy model for the progressive breakdown dynamics of ultrathin gate dielectrics

E. Miranda*, D. Jiménez, J. Suñé

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Capítulo del libroCapítuloInvestigaciónrevisión exhaustiva

Resumen

A simple analytic model for the progressive breakdown (BD) dynamics of ultrathin) gate oxides is presented. It is shown how the interplay between series and parallel resistances that represent the breakdown path and its surroundings leads to a sigmoidal I-t characteristic compatible with experimental data. The analysis is carried out using the Lyapunov exponent and the potential function associated with the logistic equation for the leakage current. The roles played by the initial current value and the system's attractor in the breakdown trajectories are discussed.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaUlis 2011 Ultimate Integration on Silicon
Páginas1-3
Número de páginas3
ISBN (versión digital)978-1-4577-0091-0, 978-1-4577-0090-3
DOI
EstadoPublicada - 2011

Serie de la publicación

Nombre2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2011

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Toy model for the progressive breakdown dynamics of ultrathin gate dielectrics'. En conjunto forman una huella única.

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