Soft Breakdown Conduction in Ultrathin (3-5 nm) Gate Dielectrics

E. Miranda, J. Suñé, R. Rodríguez, M. Nafría, X. Aymerich, L. Fonseca, F. Campabadal

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación

104 Citas (Scopus)

Idioma original	Inglés
Páginas (desde-hasta)	82-89
Publicación	IEEE Transactions on Electron Devices
Volumen	47
DOI	https://doi.org/10.1109/16.817571
Estado	Publicada - 1 ene 2000

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@article{6577430b013e46739e364472289568a5,

title = "Soft Breakdown Conduction in Ultrathin (3-5 nm) Gate Dielectrics",

author = "E. Miranda and J. Su{\~n}{\'e} and R. Rodr{\'i}guez and M. Nafr{\'i}a and X. Aymerich and L. Fonseca and F. Campabadal",

year = "2000",

month = jan,

day = "1",

doi = "10.1109/16.817571",

language = "English",

volume = "47",

pages = "82--89",

}

TY - JOUR

T1 - Soft Breakdown Conduction in Ultrathin (3-5 nm) Gate Dielectrics

AU - Miranda, E.

AU - Suñé, J.

AU - Rodríguez, R.

AU - Nafría, M.

AU - Aymerich, X.

AU - Fonseca, L.

AU - Campabadal, F.

PY - 2000/1/1

Y1 - 2000/1/1

U2 - 10.1109/16.817571

DO - 10.1109/16.817571

M3 - Article

SN - 0018-9383

VL - 47

SP - 82

EP - 89

JO - IEEE Transactions on Electron Devices

JF - IEEE Transactions on Electron Devices

ER -