Semi-empirical modelling of the post-breakdown current-voltage characteristics of ultra-thin oxides in MOS structures

E. Miranda, B. Brandala

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigación

1 Cita (Scopus)
Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)175-178
PublicaciónMicroelectronics and Reliability
Volumen45
EstadoPublicada - 1 ene 2004

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