Revealing the quantum nature of the voltage-induced conductance changes in oxygen engineered yttrium oxide-based RRAM devices

F. L. Aguirre*, E. Piros*, N. Kaiser, T. Vogel, S. Petzold, J. Gehrunger, C. Hochberger, T. Oster, K. Hofmann, J. Suñé, E. Miranda, L. Alff

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Revealing the quantum nature of the voltage-induced conductance changes in oxygen engineered yttrium oxide-based RRAM devices'. En conjunto forman una huella única.

Keyphrases

Engineering

Material Science