Physical model for the voltage and temperature dependence of the soft breakdown current in ultrathin gate oxides

Enrique Alberto Miranda Castellano, A. Avellán, D. Schroeder, W. Krautschneider

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigación

Idioma originalInglés
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PublicaciónJournal of Applied Physics
Volumen97
EstadoPublicada - 1 ene 2005

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