Nanometer Scale Oxidation of Si(100) Surfaces with Scanning Tunneling Microscopy: Application to Lithography.: Primera Conferencia de Dispositivos Electrónicos.

F Pérez; G Abadal; N Barniol; X Aymerich; R Alcubilla; J Pond

Nanometer Scale Oxidation of Si(100) Surfaces with Scanning Tunneling Microscopy: Application to Lithography. Primera Conferencia de Dispositivos Electrónicos.

F Pérez, G Abadal, N Barniol, X Aymerich, R Alcubilla (Editor/a), J Pond (Editor/a)

Producción científica: Informe/libro › Libro de Actas › Investigación

Idioma original	Indefinido/desconocido
Lugar de publicación	- (ES)
Número de páginas	5
Estado	Publicada - jul 1997

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TY - BOOK

T1 - Nanometer Scale Oxidation of Si(100) Surfaces with Scanning Tunneling Microscopy: Application to Lithography.

T2 - Primera Conferencia de Dispositivos Electrónicos.

AU - Pérez, F

AU - Abadal, G

AU - Barniol, N

AU - Aymerich, X

A2 - Alcubilla, R

A2 - Pond, J

PY - 1997/7

Y1 - 1997/7

M3 - Libro de Actas

BT - Nanometer Scale Oxidation of Si(100) Surfaces with Scanning Tunneling Microscopy: Application to Lithography.

CY - - (ES)

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