Nano-Memristors with 4 mV Switching Voltage Based on Surface-Modified Copper Nanoparticles

Peisong Liu, Fei Hui, Fernando Aguirre, Fernan Saiz, Lulu Tian, Tingting Han, Zhijun Zhang, Enrique Miranda, Mario Lanza*

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

12 Citas (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Nano-Memristors with 4 mV Switching Voltage Based on Surface-Modified Copper Nanoparticles'. En conjunto forman una huella única.

Keyphrases

Engineering

Material Science