Idioma original | Inglés |
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Páginas (desde-hasta) | 314-316 |
Publicación | IEEE Electron Device Letters |
Volumen | 25 |
Estado | Publicada - 1 ene 2004 |
Modeling of nanoscale cylindrical Gate-All-Around MOSFETs
D. Jiménez, J.J. Sáenz, B. Iñíguez, J. Suñé, L.F. Marsal, J. Pallarés
Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación
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