MOCVD Growth and Characterization of 3C-SiC on Si(100)

J. Rodríguez; M.T. Clavaguera-Mora; N. Clavaguera; G. Arnaud; J. Camassel; J. Pascual; C. Domínguez; S. Berberich; J. Millán

MOCVD Growth and Characterization of 3C-SiC on Si(100)

J. Rodríguez, M.T. Clavaguera-Mora, N. Clavaguera, G. Arnaud, J. Camassel, J. Pascual, C. Domínguez, S. Berberich, J. Millán

Departamento de Física

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva

Idioma original	Inglés
Páginas (desde-hasta)	251-266
Publicación	Advances in Science and Technology
N.º	6
Estado	Publicada - 1 ene 1995

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TY - JOUR

T1 - MOCVD Growth and Characterization of 3C-SiC on Si(100)

AU - Rodríguez, J.

AU - Clavaguera-Mora, M.T.

AU - Clavaguera, N.

AU - Arnaud, G.

AU - Camassel, J.

AU - Pascual, J.

AU - Domínguez, C.

AU - Berberich, S.

AU - Millán, J.

PY - 1995/1/1

Y1 - 1995/1/1

M3 - Article

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SP - 251

EP - 266

JO - Advances in Science and Technology

JF - Advances in Science and Technology

IS - 6

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