Growth and characterization of LPCVD SiC grown on SiO2Si(100) substrates

Growth and characterization of LPCVD SiC grown on SiO₂Si(100) substrates

J. Rodriguez, N. Clavaguera, M.T. Clavaguera, G. Arnaud, J. Camassel, J. Pascual, S. Berberich, J. Millan

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva

Idioma original	Inglés
Páginas (desde-hasta)	98-98
Publicación	Materials Science and Technology
Volumen	12
N.º	0
Estado	Publicada - 1 ene 1996

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TY - JOUR

T1 - Growth and characterization of LPCVD SiC grown on SiO2Si(100) substrates

AU - Rodriguez, J.

AU - Clavaguera, N.

AU - Clavaguera, M.T.

AU - Arnaud, G.

AU - Camassel, J.

AU - Pascual, J.

AU - Berberich, S.

AU - Millan, J.

PY - 1996/1/1

Y1 - 1996/1/1

M3 - Article

SN - 0267-0836

VL - 12

SP - 98

EP - 98

JO - Materials Science and Technology

JF - Materials Science and Technology

IS - 0

ER -