Equivalent circuit model for the gate leakage current in broken down HfO<inf>2</inf>/TaN/TiN gate stacks

Enrique Miranda, Kin Leong Pey, Rakesh Ranjan, Chih Hang Tung

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Equivalent circuit model for the gate leakage current in broken down HfO<inf>2</inf>/TaN/TiN gate stacks'. En conjunto forman una huella única.

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