Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar transistor structures at 77 K

M. Vellvehi, X. Jordà, D. Flores, P. Godignon, J. Rebollo, J. Millán

    Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

    1 Cita (Scopus)

    Huella

    Profundice en los temas de investigación de 'Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar transistor structures at 77 K'. En conjunto forman una huella única.

    Keyphrases

    Engineering

    Material Science

    Physics