Conduction mechanisms and charge storage in Si-nanocrystals metal-oxide-semiconductor memory devices studied with conducting atomic force microscopy

M. Porti, M. Avidano, M. Nafría, X. Aymerich, J. Carreras, B. Garrido

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

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Profundice en los temas de investigación de 'Conduction mechanisms and charge storage in Si-nanocrystals metal-oxide-semiconductor memory devices studied with conducting atomic force microscopy'. En conjunto forman una huella única.

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