Characterization of the spatial distribution of traps in Si<inf>3</inf>N<inf>4</inf> by field-assisted discharge of metal-nitride-oxide-semiconductor devices

F. Martín, X. Aymerich

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Characterization of the spatial distribution of traps in Si<inf>3</inf>N<inf>4</inf> by field-assisted discharge of metal-nitride-oxide-semiconductor devices'. En conjunto forman una huella única.

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