Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model

Emili Salvador Aguilera, Mireia Bargallo Gonzalez, Francesca Campabadal, Javier Martin-Martinez, Rosana Rodriguez, Enrique Miranda

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model'. En conjunto forman una huella única.

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