Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters

H. Castán, S. Dueñas, H. García, O. G. Ossorio, L. A. Domínguez, B. Sahelices, E. Miranda, M. B. González, F. Campabadal

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigación

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters'. En conjunto forman una huella única.

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