Accurate calculation of gate tunneling current in double-gate and single-gate SOI MOSFETs through gate dielectric stacks

Ferney A. Chaves, David Jiménez, Francisco J. García Ruiz, Andrés Godoy, Jordi Suñé

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Accurate calculation of gate tunneling current in double-gate and single-gate SOI MOSFETs through gate dielectric stacks'. En conjunto forman una huella única.

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