A study of metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on SF <inf>6</inf> and SF<inf>6</inf>+Cl<inf>2</inf> reactive-ion-etched Si

E. Castán, J. Arias, J. Barbolla, E. Cabruja, E. Lora-Tamayo

Producción científica: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'A study of metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on SF <inf>6</inf> and SF<inf>6</inf>+Cl<inf>2</inf> reactive-ion-etched Si'. En conjunto forman una huella única.

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