Technology and characterization of silicon carbide films for high temperature applications TECSICA

  • Mora Aznar, Maria Teresa (Principal Investigator)
  • Pascual Gainza, Jordi (Investigador/a)
  • Rodriguez Viejo, Javier (Investigador/a)

Detalles del proyecto

Descripción

El objetivo básico es la obtención de capas muy finas de carburo de silicio amorfas, policristalinas y monocristalinas por LPCVD y por MBE. Las impurezas resultantes directamente del proceso de obtención o por implantación iónica aportan una información fundamental sobre las propiedades físicas y ópticas de aquellas, aplicables al diseño y a la actuación de sistemas integrados. La estructura, la estequiometría y los mecanismos de crecimiento se obtendrán del estudio morfológico realizado por TEM, XRD y espectroscopia Raman. Los resultados del proyecto serán básicos para el diseño de sistemas integrados que incorporen sensores con mejores prestaciones.
EstadoFinalizado
Fecha de inicio/Fecha fin1/02/9330/01/96

Socios colaboradores

  • Universitat Autònoma de Barcelona (UAB)
  • Technische Universität Berlin (Technical University of Berlin) (TU Berlin) (Coordinador) (principal)
  • Foundation for Research and Technology - Hellas (FORTH) (Socio del proyecto)
  • Aristotle University of Thessaloniki (Aristotelio Panepistimio Thessalonikis) (Socio del proyecto)
  • Université de Montpellier II (Socio del proyecto)

Financiación

  • Comisión Europea (CE): 899.729,00 €

Huella digital

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