Space qualified GAN Components for Next generation systems

Detalles del proyecto

Descripción

El objetivo principal de SGAN-Next es desarrollar un proceso de fundición de GaN en SiC totalmente europeo y demostrar un rendimiento excepcional a alta frecuencia más allá de la banda Q, a través del diseño de dispositivos SSPA, LNA y switches eficientes y robustos para cargas útiles flexibles de LEO / GEO. Para ello, el proyecto liderado por SENER, como fabricante de equipos satélites, incluye un fabricante de epitaxia (SweGaN), una fundición industrial (UMS), una fundición de investigación (FBH) y dos universidades (UNIBO y UAB). Además, el consorcio cuenta con los dos principales contratistas principales de satélites europeos (ADS y TAS) para la definición conceptual de los servicios y el sistema necesario para responder a la demanda del mercado.SGaN-Next tiene como objetivo asegurar una cadena de suministro europea con obleas epitaxiales de GaN proporcionadas por SweGaN. Para este nuevo proceso, se diseñarán celdas de potencia de banda Q/V haciendo uso de nuevos módulos de procesamiento y conceptos epitaxiales que reducen las pérdidas parasitarias y aumentan el drenaje térmico al disipador de calor. Paralelamente, UMS proporciona acceso a su tecnología GaN de 0,1 μm (GH10-10), que se optimizará y se someterá a una evaluación de calificación de espacio a través de dos ejecuciones disponibles para el diseño y validación de MMIC. La caracterización por microondas del rendimiento de la tecnología GaN mediante el refinamiento del modelo y la caracterización del dispositivo se abordará para mejorar el proceso de diseño de MMIC a lo largo del proyecto.Como los PA altamente eficientes son esenciales para las antenas activas de telecomunicaciones con un alto número de unidades activas, se proponen al menos tres conceptos de diseño de AP para responder a las necesidades identificadas a nivel de equipo. La eficiencia tiene un impacto crítico en la potencia adicional exigida al sistema y la mayor complejidad para disipar. En el lado de la recepción, se abordará un diseño de un LNA, así como un interruptor para un front-end de RF robusto. Por último, pero no menos importante, se evaluarán las técnicas de empaquetado para el uso del espacio y, finalmente, se desarrollará y probará un demostrador de un SSPA para sistemas de antenas reales basados en los MMIC diseñados en condiciones ambientales espaciales.
SiglaSGAN-Next
EstadoActivo
Fecha de inicio/Fecha fin1/12/2230/11/26

Socios colaboradores

  • Sener Ingeniería y sistemas, S.A. (Coordinador) (principal)
  • Airbus Defence and Space GmbH (Socio del proyecto)
  • Sweganswegan AB (Socio del proyecto)
  • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (Socio del proyecto)
  • United Monolithic Semiconductors (Socio del proyecto)
  • Università di Bologna (Socio del proyecto)
  • Thales Alenia Space France SAS (Socio del proyecto)
  • United Monolithic Semiconductors GMBH (UMS GmbH) (Socio del proyecto)

Huella digital

Explore los temas de investigación que se abordan en este proyecto. Estas etiquetas se generan con base en las adjudicaciones/concesiones subyacentes. Juntos, forma una huella digital única.