Prestacions, variabilitat i inestabilitats en dispositiuts nanoelectrònics

(...) Los objetivos de este proyecto se enmarcan en la simulación, modelado y caracterización de dispostivos semiconductores para aplicaciones en tecnologías nanoelectrónicas sub-45nm. Se considerarán dispositivos CMOS no convencionales para aplicaciones a corto plazo pero también dispositivos lógicos emergentes que podrían encontrar aplicación a largo plazo como son los transistores de efecto de campo basados en nanotubos y nanohilos y los transistores de espín (...). Se plantean objetivos de simulación y modelado compacto de transistores de efecto de campo con canales 1D implementados con nanotubos de carbono y con nanohilos de silicio (...) Por otra parte, se incorporará el espín electrónico al simulador MC, con el objetivo de estudiar el transporte de espines en condiciones de transporte semiclásico y para analizar el comportamiento del transistor de espín Datta-Das y del transistor de tiempos de vida de espín resonante. Resaltaremos como objetivo transversal a todo el proyecto el estudio de la variabilidad de parámetros y de las inestabilidades derivadas de fluctuaciones a escala atómica en la posición y número de dopantes y de los defectos generados durante la operación de los dispositivos y que afectan a su fiabilidad. En este terreno, también proponemos el desarrollo de un simulador estocástico de degradación del aislante de puerta y la caracterización eléctrica de dicha degradación en transistores de área reducida en los que puede hacerse un seguimiento experimental defecto a defecto.