Obtenció per dipòsit químic del vapor (CVD) i estudi tèrmic i estructural de capes amorfes i policristal.lines de Si1-xCx.

El proyecto contempla la preparación, por depósito químico del vapor a baja presión, de capas amorfas de Si1-xCx y de Si1-xCx:H y de capas policristalinas obtenidas directamente por depósito, o resultantes de la cristalización de las capas amorfas. Hay tres objetivos complementarios: 1) puesta a punto de un equipo de deposición; 2) preparación de capas delgadas; y 3) caracterización térmica y estructural. El procedimiento de preparación de capas amorfas y policristalinas ha dado ya sus primeros resultados en el seno del equipo investigador solicitante. La puesta a punto de un nuevo equipo de preparación tiene como finalidad analizar las condiciones óptimas de preparación de capas. La preparación de capas se llevará a cabo con diferentes precursores, con la finalidad de conseguir una buena adherencia y calidad de las mismas, así como diferentes estequiometrías. La evolución térmica se det