Nanolitografia de sonda local per a la fabricació de dispositius electrònics de dimensions nanomètriques

En el presente proyecto, se desarrollarán técnicas de nanolitografia basadas en microscopía de sonda local (microscopía de efecto túnel, STM, y microscopía de fuerzas atómicas, AFM) para la fabricación de dispositivos electrónicos con dimensiones laterales nanométricas. En primer lugar, se optimizará la técnica de oxidación local de superficies de silicio y metales mediante AFM para la creación de estructuras de óxido con dimensiones laterales inferiores a 50 nm. Esta técnica se utilizará para oxidar localmente capas de silicio amorfo depositadas sobre distintos substratos. Las regiones de silicio amorfo oxidado se utilizarán como máscara frente a distintos tipos de ataque, para definir estructuras nanométricas sobre el substrato. Una vez optimizado el sistema nanolitográfico, se abordará la fabricación de diversos tipos de dispositivos y estructuras nanométricas basadas en materiales metálicos, y se realizará su caracterización eléctrica para poner de manifiesto propiedades de conducción cuántica. Asimismo, se desarrollarán nanoestructuras basadas en sistemas metal/SiO\sub 2\nosub /Si, para evaluar la utilización de este sistema en nanoelectrónica.