Espectroscòpia Raman d'estructures GaInAs/InP crescudes per MBE

Se propone el estudio de la calidad de las estructuras GaInAs/InP (SQW, MQW), así como el efecto producido por lo que ha sido dañado por RIE en InPi GaInAs, utilizando experiencias Raman. Como primer paso, se estudia el espectro Raman del GaInAs, y posteriormente se procede a estudiar: a) las calidades de las interfases InP/GaInAs y GaInAs/InP, procediendo a un examen Raman de las diferentes capas de SQW después de sucesivos ataques químicos; b) la calidad de los MQW y, en particular, la influencia del desorden de composición GaxIn1-xAs en el ancho de picos Raman; estudio de las transiciones banda a banda y de las transiciones intersubbandas y de las medidas de "offsets" de bandas GaInSa-InP, y c) ya que para la fabricación de estructuras de baja dimensionalidad (quantum wires, 1-D y quantum dots, 0-D) se necesita un "etching" seco con bombardeo de iones (RIE), la calidad de estas estruc