DISPOSITIVOS ELECTRONICOS EN LA FRONTERA ENTRE LA ELECTRONICA Y EL ELECTROMAGNETISMO: 2DFETS, RTDS Y RECTENNAS

Cartoixa Soler, Xavier (Investigador/a principal)
Oriols Pladevall, Xavier (Co-Investigador/a Principal)
Abadal Berini, Gabriel (Investigador/a)
Jimenez, D. (Investigador/a)
Garcia Garcia, Juan Jose (Investigador/a)
Feijoo Guerro, Pedro Carlos (Colaborador/a)
Pasadas Cantos, Francisco (Colaborador/a)
Mavredakis , Nikolaos (Colaborador/a)
Pacheco Sanchez, Anibal Uriel (Colaborador/a)
Ruiz Lobato, Raul (Colaborador/a)
Khoshmaram, Daniyal (Colaborador/a)
Villani , Matteo (Colaborador/a)
Seoane Martinez, Juan Jose (Colaborador/a)

Departamento de Ingeniería Electrónica

Universitat Autònoma de Barcelona (UAB)

Estado	Activo
Fecha de inicio/Fecha fin	1/09/22 → 31/08/26

Financiación

Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER)

Physics-Based Compact Modeling for the Drain Current Variability in Single-Layer Graphene FETs
Mavredakis, N., Pacheco-Sánchez, A., Garcia Cortadella, R., Guimerà-Brunet, A., Garrido, J. A. & Jiménez Jiménez, D., 28 abr 2025, En: IEEE transactions on electron devices. 72, 6, p. 3314-3321 8 p.
Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva

Acceso abierto
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