Diseny i fabricació d'un microscopi de camp proper SNOM per a la caracterització de dispositius òptics integrats.

En el presente proyecto se procederá al diseño y fabricación de un microscopio óptico de campo cercano (SNOM, scanning near-field optical microscope) para la caracterización de la propagación de la luz en guías de onda y dispositivos ópticos integrados en tecnología del silicio, basados en estructuras ARROW, fabricados en el Centro Nacional de Microelectrónica. El presente proyecto representa una continuación de un proyecto anterior ("Diseño y realización de un sistema PSTM para el análisis de componentes ópticos pasivos integrados con tecnología de silicio"; TIC95-0919-CO2), en el que se ha demostrado la viabilidad de usar un microscopio de campo evanescente (PSTM) para la caracterización a escala nanométrica de estas estructuras. La conversión del sistema PSTM en un microscopio de campo cercano SNOM con control de la distancia punta muestra por detección de la \i shear force\i0 mediante el uso de un \i tuning fork\i0 , permitirá obtener simultáneamente imágenes ópticas a imágenes topográficas, con lo cual aumentará la versatilidad del instrumento. Por ello, además de caracterizar estructuras ópticas integradas, nos proponemos aplicar la técnica para la caracterización de sensores ópticos integrados. Las características de la técnica SNOM permitirá caracterizar el funcionamiento de los sensores "in situ", es decir, por ejemplo en medio líquido. Finalmente, se evaluarán nuevas aplicaciones del SNOM: litografía a escala nanométrica (en el entorno del proyecto europeo TMR NANOFAB) y como herramienta de caracterización para otros grupos investigadores ( por ejemplo, en otros tipos de dispositivos ópticos integrados o en Biología).