Creixement i determinació teorico-experimental de microestructures en materials basats en capes fines semiconductores i vidres metàl·lics.

Este proyecto tiene por finalidad el desarrollo de nuevos materiales, semiconductores y aleaciones metálicas, con microestructuras específicas. Se propone profundizar en el conocimiento que se posee actualmente de los mecanismos de formación y crecimiento en capas finas y materiales macizos, así como en los fundamentos básicos por los que se rigen las transformaciones de fase en sistemas multicomponentes y polifásicos. Se pretende realizar un análisis teórico de procesos de nucleación y crecimiento cristalino, y un desarrollo experimental de métodos de preparación de nuevos materiales. Se analizará la cinética de nanocristalización inducida por tratamientos térmicos en vidrios y por condiciones de depósitos por CVD en semiconductores que conducen a la formación de materiales nanoestructurados. Nuestro objetivo consisten en estudiar nuevos materiales de alto valor añadido en aplicaciones tecnológicas. En semiconductores, se enfocará el estudio haca la obtención de capas poli- y monocristalinas de SiC con aplicaciones en el desarrollo de sensores de alta tempreatura, de capas finas pseudomórficas de Si\sub 1-x\nosub C\sub x y de nanoestructuras de Si i SiC. Los nanocristales tienen aplicaciones potenciales para realizar dispositivos de emisión de luz (LED) compatibles con circuitos optoelectrónicos basados en Si. En aleaciones metálicas se analizará la mejora de procesado de cable de Al y la cinética de nanocristalización, que conlleva unas altas prestaciones de materiales magnéticos blandos y de propiedades mecánicas en aleaciones ligeras. Para ello, se propone mejorar la formulación ya desarrollada para la descripción de la microestructura, a partir de los datos cinéticos obtenidos por DSC y espectrometría Mössbauer de los procesos de cristalización controlados por cinéticas de nucleación y crecimiento y desarrollar una función del tiempo. Se analizará, así mismo, el crecimiento homo- y heteroepitaxial del Si y SiC utilizando inicialmente simulación de....