Detalles del proyecto
Descripción
The main objective of the proposed project, i.e. the investigation of the ionising radiation effects on MOS devices, can be divided in two seccondary objectives:
1. Impact of radiation on microelectronic devices/circuits: characterization and modelling.
2. Nanometer scale characterization of the radiation effects on the gate oxide reliability of MOS structures
| Estado | Finalizado |
|---|---|
| Fecha de inicio/Fecha fin | 1/01/05 → 31/03/07 |
Socios colaboradores
- University of Padua (Coordinador) (principal)
Financiación
- Ministerio de Educación y Ciencia (MEC): 10.820,00 €
Huella digital
Explore los temas de investigación que se abordan en este proyecto. Estas etiquetas se generan con base en las adjudicaciones/concesiones subyacentes. Juntos, forma una huella digital única.