Perfil de la organización
Perfil de la organización
Our group focuses on the characterization, modeling and simulation of electron devices, contributing to the development of Key Enabling Technologies, with impact in areas such as healthcare, smart mobility, digital industry and communications, thus fostering the knowledge transfer. In particular, we focus on low-power devices required for IoT distributed/portable systems, new computing paradigms that merge memory and logic and push semiconductor devices towards quantum technologies, artificial intelligence and cryptography. Our concrete activities include: (1) the mitigation and exploitation of variability and noise in CMOS and emerging devices; (2) the characterization and compact modelling of memristors for the circuit simulation of large artificial neural networks and in-memory logic; and (3) the simulation of emergent devices based on 2D materials for quantum technology, thermal/electronic management and silicon/graphene hybrid circuits targeting RF electronics.
Dirección a cargo:
Montserrat Nafría Maqueda
Líneas de investigación
- Línias de investigación:
- Mitigació i explotació de la variabilitat en tecnologies CMOS i emergents
- Dispositius electrònics memristius per a memòries no-volàtils, lògica i computació neuromòrfica
- Simulació de dispositius emergents basats en materials de baixa dimensionalitat
Huella digital
Colaboraciones y áreas de investigación principales de los últimos cinco años
Perfiles
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Xavier Cartoixa Soler
- Departamento de Ingeniería Electrónica
- Enginyeria de Dispositius Electrònics / Electron Device Engineering
Persona: Adscripción a investigación, Profesorado titular de universidad
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Albert Crespo Yepes
- Departamento de Ingeniería Electrónica
- Enginyeria de Dispositius Electrònics / Electron Device Engineering
Persona: Adscripción a investigación, Agregado/a contratado doctor/a
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D Jiménez
- Departamento de Ingeniería Electrónica
- Enginyeria de Dispositius Electrònics / Electron Device Engineering
Persona: Adscripción a investigación, Catedrático/a contratado/a doctor/a
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SIMULACION ELECTRICA DE DISPOSITIVOS Y SISTEMAS MEMRISTIVOS CONVENCIONALES Y NO CONVENCIONALES PARA COMPUTACION NEUROMORFICA
Miranda Castellano, E. A. (Investigador/a principal), Picos Gaya, R. (Co-Investigador/a Principal), Aguirre Fariña, F. L. (Colaborador/a), Salvador Aguilera, E. (Colaborador/a), Suñe Tarruella, J. F. (Investigador/a) & de Benito Crosetti, C. A. (Investigador/a)
1/09/23 → 31/08/27
Proyecto: Proyectos y Ayudas de Investigación
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FIABILIDAD, SEGURIDAD Y EFICIENCIA ENERGETICA EN DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS PARA IOT EDGE (TIRELESS-UAB)
Nafria Maqueda, M. (Investigador/a principal), Porti Pujal, M. (Co-Investigador/a Principal), Crespo Yepes, A. (Investigador/a), Martin Martinez, J. (Investigador/a), Rodriguez Martinez, R. (Investigador/a), Valdivieso Leon, C. A. (Colaborador/a), Salvador Aguilera, E. (Colaborador/a), Goyal Goyal, R. (Colaborador/a), Baghban Bousari, N. (Colaborador/a) & Diaz Fortuny, J. (Colaborador/a)
Fondo Europeo de Desarrollo Regional (FEDER)
1/09/23 → 31/08/27
Proyecto: Proyectos y Ayudas de Investigación
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TERAOS: Oscilador de terahercios basado en la superposición cuántica de estados electrón-fotón en un diodo túnel resonantes dentro de una cavidad óptica
Oriols Pladevall, X. (Investigador/a principal), Destefani ., C. F. (Colaborador/a), Raga Camilleri, C. (Colaborador/a), Abadal Berini, G. (Investigador/a) & Cartoixa Soler, X. (Investigador/a)
1/01/24 → 31/12/25
Proyecto: Proyectos y Ayudas de Investigación
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Analysis of the Voltage Ramp Rate Effects on the Programming Characteristics of Bipolar-Type Memristive Devices
Miranda, E., Piros, E., Kim, T., Schreyer, P., Gehrunger, J., Schwarz, T., Oster, T., Hofmann, K., Suñé, J., Hochberger, C. & Alff, L., 2025, En: IEEE transactions on nanotechnology. 24, p. 205-208 4 p.Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva
Acceso abierto2 !!Link opens in a new tab Citas (Scopus) -
An Extended Low-Frequency Noise Compact Model for Single-Layer Graphene FETs Including Correlated Mobility Fluctuations Effect
Mavredakis, N., Pacheco-Sanchez, A. & Jimenez, D., 2025, (Aceptada en prensa) En: IEEE Transactions on Electron Devices. 73, 1, p. 682-689 8 p.Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva
Acceso abierto -
Behavioral SPICE model for memristive crosspoint arrays operating in the nonlinear transport regime
Pérez, X., Picos, R., Suñé, J. & Miranda, E., nov 2025, En: Solid-state electronics. 229, 109214.Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › Investigación › revisión exhaustiva
Acceso abierto
Tesis doctorales
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Desarrollo de mejoras de la técnica C-AFM para la caracteritzación de dieléctricos en la nanoescala: aplicación a stacks de puerta de dispositivos MOS basados en Hafnio
Aguilera Martínez, L. (Autor/a), Nafría Maqueda, M. (Director/a) & Porti Pujal, M. (Director/a), 21 mar 2011Tesis doctoral
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Nanoscale Characterization and simulation of advanced CMOS and Emerging Devices variability
Ruiz Flores, A. (Autor/a), Porti Pujal, M. (Director/a), 24 nov 2022Tesis doctoral
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Experimental and simulation study of the defects impact on the variability of MOS structures
Couso Fontanillo, C. (Autor/a), Porti Pujal, M. (Director/a) & Martin Martinez, J. (Director/a), 6 jun 2018Tesis doctoral