Abstract
La comunidad científica internacional investiga las posibilidades de sustitución del óxido de silicio, uno de los componentes principales de los dispositivos microelectrónicos, por otros materiales con mejores propiedades eléctricas y compatibles con los procesos de fabricación CMOS (Semiconductor Complementario de Oxido de Metal). El Departamento de Ingeniería Electrònica de la UAB, junto con el centro europeo de investigación IMEC, ha estudiado algunos de estos elementos utilizando técnicas con resolución espacial nanométrica.
| Translated title of the contribution | La nanoelectrónica busca el sustituto del óxido de silicio |
|---|---|
| Original language | Catalan |
| Pages (from-to) | 0001-1 |
| Number of pages | 1 |
| Journal | UAB Divulga |
| Publication status | Published - 2006 |