Variability and reliability at the nanoscale of gate stacks of MOS devices based on high-k dielectrics

Departament d'Enginyeria Electrònica

Tesi d’estudis: Tesi doctoral

Data del Ajut	27 de set. 2013
Idioma original	No s'ha definit/desconegut
Supervisor	Marc Porti Pujal (Director/a)

Com citar-ho

Enllaços

http://hdl.handle.net/10803/126515

https://ddd.uab.cat/record/117058

'