Propiedades eléctricas a escala nanométrica de dispositivos MOS con dieléctricos de puerta basados en Hafnio

Tesi d’estudis: Tesina (TFM)

Data del Ajut1 de jul. 2005
Idioma originalNo s'ha definit/desconegut
SupervisorMontserrat Nafria Maqueda (Director/a)

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