| Data del Ajut | 15 de jul. 2005 |
|---|---|
| Idioma original | No s'ha definit/desconegut |
| Supervisor | Marc Porti Pujal (Director/a) |
Propiedades eléctricas a escala nanométrica de dispositivos MOS con dieléctricos de puerta basados en Hf.
Tesi d’estudis: Tesina (TFM)