Heat Transport in Layered Semiconductors

Resum

Ha estat un objectiu de llarga durada dels físics entendre com flueix la calor i com afecta les propietats tèrmiques dels materials. Aquesta recerca ha estat impulsada no només per la recerca del coneixement, sinó també per la gran importància de la calor en la vida diària. El descobriment de nous materials ha introduït desafiaments en la comprensió de propietats fonamentals com el transport de calor, alhora que ha obert camins per a avenços tecnològics._x000D_ _x000D_ En aquesta tesi, investiguem les propietats de transport de calor d’una classe de materials laminars coneguts com dicalcogenurs de metalls de transició (TMDs). Estudiem aquests materials utilitzant dues tècniques òptiques diferents: la tècnica convencional de termometria Raman i una nova tècnica de termometria espaciotemporal pump-probe que hem desenvolupat._x000D_ _x000D_ Amb aquesta nova tècnica, quantifiquem directament la difusivitat tèrmica en el pla dels TMDs. Les difusivitats tèrmiques obtingudes per a MoSe$_2$, fins a un gruix de 3 capes, són consistents amb els resultats obtinguts amb termometria Raman. Curiosament, en mostres monocapa i bicapa, observem una transició en el comportament del transport de calor: des de difusiu en mostres més gruixudes fins a viscós amb molt baixa difusivitat en mostres ultraprimes. Atribuïm aquest transport viscós al flux hidrodinàmic de la calor, un fenomen que mai s’havia observat en TMDs a cap temperatura.

Data del Ajut	28 d’oct. 2024
Idioma original	Anglès
Supervisor	Klaas-Jan Tielrooij (Director/a)