Formalismes físics per a la microscòpia d'efecte túnel. Aplicació d'un STM atmosfèric en microelectrònica: Caracterització de Si i d'estructures MOS

Tesi d’estudis: Tesi doctoral

Data del Ajut10 d’abr. 1992
Idioma originalNo s'ha definit/desconegut
SupervisorXavier Aymerich Humet (Director/a)

Com citar-ho

'