Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM

Tesi d’estudis: Tesi doctoral

Data del Ajut4 d’abr. 2003
Idioma originalUndefined/Unknown
Institució adjudicatària
  • Universitat Autònoma de Barcelona (UAB)
SupervisorXavier Aymerich Humet (Director/a) & Montserrat Nafria Maqueda (Director/a)

Com citar-ho

'