CAFM nanoscale electrical properties and reliablity of HfO2 based gate dielectrics in electron devices: Impact of the polycrystallization and resistive switching(Mención Europea)

Departament d'Enginyeria Electrònica

Tesi d’estudis: Tesi doctoral

Data del Ajut	30 de nov. 2012
Idioma original	No s'ha definit/desconegut
Supervisor	Marc Porti Pujal (Director/a)

Com citar-ho

Standard
Short
Compact

Enllaços

http://ddd.uab.cat/record/106905

http://hdl.handle.net/10803/107890

https://www.educacion.gob.es/teseo/mostrarRef.do?ref=1001223

'