Saltar a la navegació principal Saltar a la cerca Vés al contingut principal

Analysis of the Resistive Switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications

Tesi d’estudis: Tesi doctoral

Data del Ajut22 de juny 2017
Idioma originalNo s'ha definit/desconegut
SupervisorRosana Rodriguez Martinez (Director/a)

Com citar-ho

'