UHV CAFM characterization of high-k dielectrics: effect of the technique resolution on the pre- and post-breakdown electrical measurements

M. Lanza, M. Porti, M. Nafría, X. Aymerich, E. Whittaker, B. Hamilton

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

33 Cites (Scopus)
Idioma originalEnglish
Pàgines (de-a)1312-1315
RevistaMicroelectronics and Reliability
Volum50
Número9-11
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 1 d’abr. 2010

Com citar-ho