"Transient analysis of resonant tunneling diodes in the self consistent Wigner distribution formalism".: Proceedingt of the III-V Semiconductor Device Simulation Workshop.

J García; X Oriols; F Martín; J Suñé

"Transient analysis of resonant tunneling diodes in the self consistent Wigner distribution formalism". Proceedingt of the III-V Semiconductor Device Simulation Workshop.

Departament d'Enginyeria Electrònica

Producció científica: LLibre/informe › Llibre d'Actes › Recerca

Idioma original	No s'ha definit/desconegut
Lloc de publicació	- (IT)
Nombre de pàgines	1
Estat de la publicació	Publicada - de jul. 1997

Com citar-ho

@book{bf87a3b2ec56438898094215ffedb607,

title = "{"}Transient analysis of resonant tunneling diodes in the self consistent Wigner distribution formalism{"}.: Proceedingt of the III-V Semiconductor Device Simulation Workshop.",

author = "J Garc{\'i}a and X Oriols and F Mart{\'i}n and J Su{\~n}{\'e}",

year = "1997",

month = jul,

language = "Indefinido/desconocido",

}

TY - BOOK

T1 - "Transient analysis of resonant tunneling diodes in the self consistent Wigner distribution formalism".

T2 - Proceedingt of the III-V Semiconductor Device Simulation Workshop.

AU - García, J

AU - Oriols, X

AU - Martín, F

AU - Suñé, J

PY - 1997/7

Y1 - 1997/7

M3 - Libro de Actas

BT - "Transient analysis of resonant tunneling diodes in the self consistent Wigner distribution formalism".

CY - - (IT)

ER -