Technical Digest of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98). "Point Contact COnduction at the Oxide Breakdown of MOS Devices".: The 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98).

J. Suñé; E. Miranda; M. Nafría; X. Aymerich

Technical Digest of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98). "Point Contact COnduction at the Oxide Breakdown of MOS Devices". The 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98).

J. Suñé, E. Miranda, M. Nafría, X. Aymerich

Departament d'Enginyeria Electrònica

Producció científica: LLibre/informe › Llibre d'Actes › Recerca

Idioma original	Anglès
Lloc de publicació	San Francisco. (US)
Nombre de pàgines	4
Estat de la publicació	Publicada - de juny 1998

Com citar-ho

@book{932439ba82e9451eb28133e139e63bf1,

title = "Technical Digest of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98). {"}Point Contact COnduction at the Oxide Breakdown of MOS Devices{"}.: The 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98).",

author = "J. Su{\~n}{\'e} and E. Miranda and M. Nafr{\'i}a and X. Aymerich",

year = "1998",

month = jun,

language = "English",

}

TY - BOOK

T1 - Technical Digest of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98). "Point Contact COnduction at the Oxide Breakdown of MOS Devices".

T2 - The 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98).

AU - Suñé, J.

AU - Miranda, E.

AU - Nafría, M.

AU - Aymerich, X.

PY - 1998/6

Y1 - 1998/6

M3 - Proceeding

BT - Technical Digest of the 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM'98). "Point Contact COnduction at the Oxide Breakdown of MOS Devices".

CY - San Francisco. (US)

ER -