Statistical and voltage scaling properties of post-breakdown for ultr-thin-oxide PFETs in invesion mode

E. Wu, J. Suñé

    Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecerca

    9 Cites (Scopus)
    Idioma originalEnglish
    Pàgines (de-a)54-62
    RevistaIEEE Int. Reliab. Phys. Symp. proc.
    Volum1
    DOIs
    Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2006

    Com citar-ho