Simulation of the hot-carrier degradation in short channel transistors with high-K dielectric

E. Amat, T. Kauerauf, R. Degraeve, R. Rodríguez, M. Nafría, X. Aymerich, G. Groeseneken

Sortida de recercaRecerca

2 Cites (Scopus)
Idioma originalEnglish
Pàgines (de-a)315-323
RevistaInternational journal of numerical modelling
Volum23
Número d'incidència4-5
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 1 de juny 2010

Citeu això