Simulacion autoconsistente de la característica I-V en diodos túnel resonante de doble barrera.: Proceeding de la conferencia de Dispositivos Electrónicos.

Simulacion autoconsistente de la característica I-V en diodos túnel resonante de doble barrera. Proceeding de la conferencia de Dispositivos Electrónicos.

J Garcia, X Oriols, F Martin, J Suñe

Producció científica: LLibre/informe › Llibre d'Actes › Recerca

TY - BOOK

T1 - Simulacion autoconsistente de la característica I-V en diodos túnel resonante de doble barrera.

T2 - Proceeding de la conferencia de Dispositivos Electrónicos.

AU - Garcia, J

AU - Oriols, X

AU - Martin, F

AU - Suñe, J

PY - 1997/7

Y1 - 1997/7

M3 - Libro de Actas

BT - Simulacion autoconsistente de la característica I-V en diodos túnel resonante de doble barrera.

CY - - (ES)

ER -