Quantum Mechanical modeling of accumulation layers in MOS structures

J. Suñé, P. Olivo, B. Riccò

Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca

95 Cites (Scopus)

Idioma original	Anglès
Pàgines (de-a)	1732-1739
Revista	IEEE Transactions on Electron Devices
Volum	39
Número	7
DOIs	https://doi.org/10.1109/16.141240
Estat de la publicació	Publicada - 1 de gen. 1992

Accés al document