Idioma original | Anglès |
---|---|
Pàgines (de-a) | 433-436 |
Revista | Mater. sci. eng., B |
Volum | 653 |
Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 2003 |
Quantitative Evaluation of Implantation Damage and Damage Recovery after Room Temperature Ion-Implantation of N+ and P+ Ions in 6H-SiC
S. Blanque, R. Pérez, M. Zielinski, J. Pernot, N. Mestres, J. Pascual, P. Godignon, J. Camassel
Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts